| 主权项 |
1.一种半调移相光罩,包括一片就曝光光线而言为透明的基质;一种移相器图样成形于透明基质上;和一道经由蚀刻透明基质形成的移相沟;其中该移相器图样系形成至厚度d而具有对曝光光线之透射率5-30%T,且该厚度D系由下式决定:d=-1nT/4k,其中k表示曝光光线被移相器图样之消先系数,而表示曝光光线波长。2.如申请专利范围第1项之半调移相光罩,其中该移相器图样系由选自MoSiON,SiNx,不定形碳和CrF之材料制成。3.如申请专利范围第1项之半调移相光罩,其中该移相沟系成形成至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()系于90至270之范围。4.如申请专利范围第3项之半调移相光罩,其中该移相沟系成形至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()为180。5.如申请专利范围第3项之半调移相光罩,其中该深度D系由下式决定:D={/2N-1)}-{2(n-1)d/2(N-1)}其中N为基质之折射指数,n为移相器图样之折射指数,为曝光光线波长,而d为移相器图样厚度。6.如申请专利范围第1项之半调移相光罩,其又包括形成于移相器图样预定区的光屏蔽薄膜图样。7.如申请专利范围第6项之半调移相光罩,其中该光屏蔽薄膜图样对曝光光线具有透射率5-30%T。8.如申请专利范围第6项之半调移相光罩,其中该光屏蔽薄膜图样系由选自铬(Cr),铝(Al)和MoSi之材料制成。9.一种制造半调移相光罩之方法,包括下列步骤:于一片就曝光光线而言为透明的基质上形成一种移相器图样;及经由使用移相器图样作为蚀刻光罩蚀刻基质而形成一道移相沟;其中该形成移相器图样之步骤包括下列步骤:形成移相器图样至厚度d而对曝光光线具有透射率5-30%T,且该厚度d系由下式决定:d=-1nT/4k,其中k表示曝光光线之消光系数,而表示曝光光线波长。10.如申请专利范围第9项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相器图样之步骤包括下述步骤:使用选自MoSiON,SiNx,不定形碳和CrF之材料形成移相器图样。11.如申请专利范围第9项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相沟之步骤包括下述步骤:形成移相沟至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()系于90至270之范围。12.如申请专利范围第11项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相沟之步骤包括下述步骤:形成移相沟至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()为180。13.如申请专利范围第11项之制造半调移相光罩之方法,其中该深度D系由下式决定:D={/2N-1)}-{2(n-1)d/2(N-1)}其中N为基质之折射指数,n为移相器图样之折射指数,为曝光光线波长,而d为移相器图样厚度。14.一种制造半调移相光罩之方法,包括下列步骤:于一片就曝光光线而言为透明的基质上形成一种移相器图样;于移相器薄膜上形成一层具有光屏蔽功能的材料薄膜;经由蚀刻材料薄膜和移相器薄膜而形成材料薄膜图样和移相器图样;经由使用材料薄膜图样和移相器薄膜作为蚀刻光罩蚀刻基质而形成一道移相沟;及经由对于移相器图样上形成的材料薄膜图样加图样而完成光屏蔽薄膜图样。15.如申请专利范围第14项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相器薄膜之步骤包括下述步骤:使用选自MoSiON,SiNx,不定形碳和CrF之材料形成移相器薄膜。16.如申请专利范围第14项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成具有光屏蔽功能之材料薄膜之步骤包括下述步骤:使用选自铬(Cr),铝(Al)和MoSi之材料形成具有光屏蔽功能之材料薄膜。17.如申请专利范围第14项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相器薄膜之步骤包括下列步骤:形成移相器薄膜至厚度d而对曝光光线具有透射率5-30%T。18.如申请专利范围第17项之制造半调移相光罩之方法,其中该厚度d系由下式决定:d=-1nT/4k,其中k表示曝光光线之消光系数,而表示曝光光线波长。19.如申请专利范围第17项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相沟之步骤包括下述步骤:形成移相沟至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()系于90至270之范围。20.如申请专利范围第19项之制造半调移相光罩之方法,其中该形成移相沟之步骤包括下述步骤:形成移相沟至深度D,故通经移相沟之曝光光线与通经移相器图样之曝光光线间之相差()为180。21.如申请专利范围第19项之制造半调移相光罩之方法,其中该深度D系由下式决定:D={/2N-1)}-{2(n-1)d/2(N-1)}其中N为基质之折射指数,n为移相器图样之折射指数,为曝光光线波长,而d为移相器图样厚度。图示简单说明:第一图为具有MoSiON半调移相器之习知半调PSM之剖面图;第二图为具有铬薄膜图样和移相沟成形其上之习知半调PSM之剖面图;第三图为根据本发明之第一具体例之半调PSM之剖面图;第四图为根据本发明之第二具体例之半调PSM之剖面图;第五-七图为解说第三图所示之半调PSM之制法之剖面图;第八-十二图为解说第四图所示之半调PSM之制法之剖面图; |
