| 主权项 |
1.用以测量细胞活动之二维感测器,此感测器包括:由Si(矽),SiO2(二氧化矽)及Si3N4(氮化矽)三层所构成之感测器基体;一构成作用电极之薄膜为以汽相沈积于此感测器基体之背面Si层表面上制成;一置放区接合配置于此感测器基体之上面Si3N4层上,用以置入样品细胞,培养基及一参考电极,其中当一光束照射于此感测器基体背面之一点,可由作用电极获得一信号,及其中此信号实际上相当于光所照射点之电位变化。2.用以测量细胞活动之测量系统,此系统包括:二维感测器,其包括:由Si(矽)层,SiO2(二氧化矽)层及Si3N4(氮化矽)层所构成之感测器基体;一构成作用电极之薄膜为以汽相沈积于此感测器基体之背面Si层表面上制成;一置放区接合配置于此感测器基体之上面Si3N4层上,用以置入样品细胞,培养基及一参考电极;一雷射光束源,用以雷射光束照射出一光点于此感测器基体之背面上;一直流电源,用以加上一直流偏压电压于感测器基体之背面上之作用电极及于感测器基体上表面置放区中之参考电极间;及用以处理由作用电极与参考电极间所获得信号之构件。3.如申请专利范围第2项所述之测量系统,此系统亦包括用以维持于感测器基体上置放区中培养取样细胞环境之构件。4.如申请专利范围第2项所述之测量系统,此系统亦包括以高频驱动雷射光源之构件,使得此雷射光源发射出一高频调变雷射光束,其中此信号处理构件,用以检知流过作用电极与参考电极间光电流之变化波幅。5.如申请专利范围第2项所述之测量系统,此系统更包括一构件位于感测器基体背表面之预定区域中,该构件用来扫瞄雷射光源所发射之雷射之雷射光束。6.如申请专利范围第2项所述之测量系统,此系统亦包括一雷射阵列,其包含多个以矩阵排列之雷射元件,每一雷射元件发射出之雷射光束垂直于感测器基体背表面。7.如申请专利范围第2项所述之测量系统,此系统亦包括一X-Y台架,其控制此二维感测器之水平位置,用以改变于感测器基体上雷射照射点之位置。图示简单说明:第一图为一使用本发明二维感测器之细胞活动测量系统之方块图。第二A图及第二B图说明使用于第一图中测量系统中之二维感测器之横截面剖视图与平面图。第三图以图示说明此电路之等效电路,其中一光电流流过第一图之测量系统。第四A图及第四B图说明所检知之光电流及此例子中波幅之变化。第五图以图式说明习知技艺中使用LAPS之PH量测系统。第六图为以一图形说明由第五图中测量电路所获得光电流对偏压之特性,及此特性之偏移量。 |
