发明名称 DISPOSITIVO DE SINCRONIZACION DE MEMORIA DUPLICADA.
摘要 MODULO (1) CONMUTADOR ATM BASADO EN MEMORIA TAMPON COMPARTIDA QUE SE DUPLICA (2) Y FUNCIONA EN MODO ACTIVO DE ESPERA PARA TOLERANCIA DE FALLOS. TRAS EL FALLO Y REPARACION DE UN MODULO, LOS CONTENIDOS DE LA MEMORIA TAMPON (12) DE LOS DOS MODULOS SE RESINCRONIZAN DEL SIGUIENTE MODO. EN EL INSTANTE DE COMENZAR LA SINCRONIZACION LOS CONTENIDOS DE LA MEMORIA DEL MODULO DE RESERVA REPARADO SE LIMPIAN, TODAS LAS ESCRITURAS A LA MEMORIA DEL MODULO ACTIVO TAMBIEN SE EMPIEZAN A REALIZAR SOBRE LA MEMORIA DEL MODULO DE ESPERA, Y EMPIEZA A CONTARSE PARA VER CUANDO SE SOBREESCRIBEN ZONAS DE MEMORIA DEL MODULO ACTIVO QUE YA EXISTIAN CUANDO EMPEZO LA SINCRONIZACION. ESTO SE HACE MEDIANTE UNA FUNCION QUE ACTIVA UN BANDERA (64) EN UN MONITOR CONTADOR DE LONGITUD DE COLA (60) PARA CADA CONTADOR DE LONGITUD DE COLA DE MODULO ACTIVO (200) QUE LLEGA A UNA CUENTA DE 0 PARA INDICAR QUE SU CORRESPONDIENTE COLA DE MEMORIA TAMPON (100) SE HA VACIADO. CUANDO TODAS LAS BANDERAS DE MONITOR SE HAN ACTIVADO EN RESPUESTA AQUE HAN LLEGADO LOS CONTADORES DE LONGITUD DE COLA A CONTAR CERO, INDICA QUE EL CONTENIDO ORIGINAL DE LA MEMORIA DEL MODULO ACTIVO SE HAN SOBREESCRITO Y LAS MEMORIAS VUELVEN A TENER EL CONTENIDO IDENTICO, Y CONSECUENTEMENTE QUE LA RESINCRONIZACION DE LAS DOS MEMORIAS SE HA LOGRADO Y SE HA RESTABLECIDO LA TOLERANCIA A FALLOS.
申请公布号 ES2108731(T3) 申请公布日期 1998.01.01
申请号 ES19920306743T 申请日期 1992.07.23
申请人 AT&T CORP. 发明人 PASHAN, MARK ALLEN;SPANKE, RONALD ANTHONY
分类号 G06F11/16;(IPC1-7):G06F11/16 主分类号 G06F11/16
代理机构 代理人
主权项
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