| 发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。 | ||
| 申请公布号 | CN1169036A | 申请公布日期 | 1997.12.31 |
| 申请号 | CN97110806.4 | 申请日期 | 1997.04.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 国里竜也;狩野隆司;上田康博;松下保彦;八木克己 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S3/18 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1. 一种发光器件，其特征在于依次包括：由第一导电类型的化合物半导体构成的第一包层；由含铟的化合物半导体构成的有源层；由化合物半导体构成的覆盖层；以及由第二导电类型的化合物半导体构成的第二包层。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||