| 主权项 |
1.一种相移式光罩的制造方法,包括下列步骤:提供一光罩基底,并依序在该光罩基底上形成一相移层及一遮蔽层;蚀刻该遮蔽层,以暴露出该相移层,形成一开口;形成一薄膜层,以覆盖该遮蔽层及该开口;回蚀刻该薄膜层,以在该开口内的该遮蔽层边墙上,形成一间隙壁;以及利用该间隙壁为硬罩幕,蚀刻该相移层,并去除该间隙壁,完成该相移式光罩的制作。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该光罩基底为一石英基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬薄膜。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬氧化物薄膜。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该相移层与该遮蔽层系利用组成材质的密度不同,以具有不同的透光率。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该薄膜层为一二氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该薄膜层为一硼磷矽玻璃层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该薄膜层为一氮化矽层。9.一种相移式光罩的制造方法,包括下列步骤:提供一光罩基底,并在该光罩基底上形成一遮蔽层;蚀刻该遮蔽层,以暴露出该光罩基底,形成一开口;依序在该光罩基底上方形成一相移层及薄膜层;回蚀刻该薄膜层,以在该开口内的该相移层边墙上,形成一间隙壁;以及利用该间隙壁为硬罩幕,蚀刻该相移层,并去除该间隙壁,完成该相移式光罩的制作。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该光罩基底为一石英基底。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬薄膜。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该相移层及该遮蔽层为一铬氧化物薄膜。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该相移层与该遮蔽层系利用组成材质的密度不同,以具有不同的透光率。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该薄膜层为一二氧化矽层。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该薄膜层为一硼磷矽玻璃层。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该薄膜层为一氮化矽层。图示简单说明:第一a-一c图绘示一种传统相移式光罩的制造方法;第二a-二e图绘示本发明之较佳实施例,第一种相移式光罩的制造方法;以及第三a-三e图绘示本发明之较佳实施例,第二种相移式光罩的制造方法。 |
