| 发明名称 | 晶片的制法和用于该晶片制法的装置 | ||
| 摘要 | 本发明是将对晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到晶块的切断预定部，使上述晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去，而切出晶片。按照此方法，可以大幅度减薄切断余量，并且可使作业环境保持清洁。而且能够得到平滑的切断面。 | ||
| 申请公布号 | CN1168534A | 申请公布日期 | 1997.12.24 |
| 申请号 | CN97111230.4 | 申请日期 | 1997.04.03 |
| 申请人 | 大同北产株式会社 | 发明人 | 横山敬志;山本和马;山本政人;三岛孝博;松田豪;伊藤茂树 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/301;C30B33/12 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1、晶片的制造方法，该方法是一种由结晶块获得晶片的方法，其特征在于，将对上述结晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到该结晶块的切断预定部，使上述结晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去而切出晶片。 | ||
| 地址 | 日本北海道 | ||