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<p>Monolithisch integrierte Kombination einer Laserdiode und eines Modulators, bei der ein Bereich einer gemeinsamen aktiven Schichtstruktur (2) für den Laser und ein daran angrenzender Anteil dieser Schichtstruktur für den Modulator verwendet wird, wobei diese Schichtstruktur eine MQW-Struktur mit voneinander entkoppelten asymmetrischen Potentialtöpfen ist. Die Materialzusammensetzungen in den Potentialtöpfen besitzen jeweils auf der n-Seite die kleinste Energiebandlücke und sind so an die Schichtstruktur angepaßt, daß sich bei Anlegen einer Potentialdifferenz in Sperrichtung eine Blauverschiebung der Absorptionskante über die Laserwellenlänge hinaus ergibt.</p> |
