半导体器件

摘要

含非晶Pin或nip型半导体器件，其中至少一界面层是由电阻率高于邻接界面层半导体的半导体或绝缘体制成。该界面层在半导体层间或在半导体和电极间；在P/i或n/i结界面处P型或n型层中掺杂量很小，在趋向于P/电极结界面或n/电极结界面方向上逐渐上升；或有较高杂质密度P型半导体层和/或有较高杂质密度的n型半导体层是在P型半导体层和P型半导体层同侧电极间，和/或在n型半导体层和n型半导体层同侧电极间。

主权项

1.一种半导体器件，包括至少一组半导体层，所述组包括p-i-n结构，其中(1)p代表p型半导体层，为至少部分掺有p型掺杂剂的非晶材料，(2)i代表本征半导体层，为至少部分非晶半导体材料，(3)n代表n型半导体层，为至少部分掺有n型掺杂剂的非晶材料，所述半导体器件还包括至少一个在最外p型半导体层的外表面上设置的电极和至少一个在最外n型半导体层的外表面设置的电极，其中，至少一个中间层设置在所述p-i-n结构的p层和i层之间的界面处，所述中间层是从含有Si1-xCx：X：Y、Si1-xNx：X：Y及Si1-xOx：X：Y的组中选出的，其中x满足0＜x＜1的关系；X是从含有H、Cl、F和Br的组中选出的；Y是从含有H、Cl、F和Br的组中选出的，所述中间层的电阻值为i层的十倍以上。