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发明名称 METHOD FOR ETCHING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPH09330916(A) 申请公布日期 1997.12.22
申请号 JP19960170541 申请日期 1996.06.10
申请人 SONY CORP 发明人 KAWAI HIROHARU
分类号 H01L29/41;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/338;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L29/41
代理机构 代理人
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