| 发明名称 |
HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09331063(A) |
申请公布日期 |
1997.12.22 |
| 申请号 |
JP19960332467 |
申请日期 |
1996.12.12 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
UENISHI AKIO;NAKAMURA KATSUMITSU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/749;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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