| 发明名称 | 枯草杆菌生长培养基的建立及其发酵方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种适合用枯草杆菌生产基因工程产物的半合成培养基的建立及其发酵方法。现有技术中由于有些受体菌表达水平低，或者会水解基因表达产物，致使产率低，价格高。也会由于培养基成分复杂，色素深，影响产品的质量。本发明筛选了一种适合枯草杆菌生长并高效生产基因工程产物的半合成培养基，应用本发明的发酵生产控制模式，有效地控制了产物被水解，提高了产品质量和产量。 | ||
| 申请公布号 | CN1167826A | 申请公布日期 | 1997.12.17 |
| 申请号 | CN97106201.3 | 申请日期 | 1997.01.02 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 张培德;周润琦;陈石根;李致勋 |
| 分类号 | C12N1/20;C12N1/21;//(C12N1/20,C12R1:125) | 主分类号 | C12N1/20 |
| 代理机构 | 复旦大学专利事务所 | 代理人 | 姚静芳 |
| 主权项 | 1.一种适合枯草杆菌生长的半合成培养基的制备方法，其特征在于发酵培养基的主要成份是无机盐及磷酸缓冲液，其组成是：(g/L)Na2HPO4：4.0～7.0 Na2SO4：0.05～0.20KH2PO4：4.0～7.0 Mgcl2：0.02～0.20NH4cl：0.5～2.0 MnCl2：0.001～0.008 FeCl2：0.002～0.008有机组成是：(g/L) 葡萄糖：1～10 酵 母：2～10 蛋白胨：2～10其余是水。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||