发明名称 非易失半导体存储器
摘要 半导体存储器,包括:沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线;位于存储体之间并通过第一组选择晶体管与主位线连接的第一组子位线;位于存储体和第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。
申请公布号 CN1167988A 申请公布日期 1997.12.17
申请号 CN96123885.2 申请日期 1996.12.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 李炯坤;任兴洙;徐康德
分类号 G11C14/00 主分类号 G11C14/00
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 孙履平
主权项 1、一种具有包括由存储单元形成的多个存储体的存储单元阵列的半导体存储器,包括:沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线;位于所述存储体之间并通过第一组选择晶体管与所述主位线连接的第一组子位线;以及位于所述存储体和所述第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。
地址 韩国京畿道