| 主权项 |
1.一种半导体平坦化之方法,至少包括下列步骤:a.提供一具有一晶胞区与一周边电路区之矽基底,且在该晶胞区上方已形成一导电层;b.形成一线性介电层;c.形成一顶氧化层;d.形成一氮化矽层;e.形成一光阻层;f.以一反相光罩对该晶胞区显影;g.去除该晶胞区之该光阻层、氮化矽层与部份顶氧化层;h.去除该周边电路区之光阻层;i.以化学机械研磨法移除速率的选择性差异去除该晶胞区之部份该顶氧化层与该周边电路区之该氮化矽层;以及j.平坦化。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层系以化学气相沉积法,在200-800℃的环境下所形成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度约在300-3000A间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度为一第一常数,该晶胞区与该周边电路区之该顶氧化层的高度差为一第二常数,该第二常数与该第一常数之比値为一第三常数,该化学机械研磨法移除速率的选择性对该顶氧化层与该氮化矽层的移除速率比为该第三常数。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平坦化的方法系化学机械研磨法。图示简单说明:第一A-一B图绘示乃传统半导体制程中步级接面的平坦化处理之剖面图。第二A-二C图绘示依照本发明一较佳实施例半导体制程中步级接面的平坦化处理之剖面图。 |
