发明名称 制造表面波元件之方法
摘要 于钟形瓶内的表面波元件基材上形成铝电极膜,并于其上涂被氮化物膜(氮化铝膜)或氧化物膜(氧化铝膜)作为绝缘膜,于形成Al电极膜后在该钟形瓶内导入N2气体或O2气体。该绝缘膜可以消除因金属盖背面电镀剥离及该金属盖熔接到基底所产生的金属粒子之不良影响,因而减低绝缘电阻损失以及阻止电极在分区程序中发生腐蚀。
申请公布号 TW322658 申请公布日期 1997.12.11
申请号 TW084106258 申请日期 1995.06.19
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 米田年磨;门田道雄
分类号 H03H3/08 主分类号 H03H3/08
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种制造表面波元件的方法,其包括下列步骤:在钟形瓶内的表面波元件基材上形成铝电极膜;及在该钟形瓶内导入N2气体或O2气体,藉以用该N2气体或该O2气体在已形成的铝电极膜上形成氮化物膜或氧化物膜。2.如申请专利范围第1项所述之制造表面波元件的方法,其可包括使用影印石版术以该铝电极膜形成电极之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之制造表面波元件的方法,其包括在该表面波元件基材上进行该电极之间的分区处理(dicing)之步骤。图示简单说明:第一图为本发明一实施例制造表面波元件的方法所用溅镀装置之示意图;第二图为具有根据图一所示方式在A1电极膜上形成绝缘膜所制成的衆多IDT电极之表面波元件的透视图;及第三图为包含一包覆住表面波元件最后产物的金属盖之电子装置的分解透视图。
地址 日本