| 主权项 |
1.一种用于用半导体制程中的膜厚测量装置,系具备:设置有各种控制仪器之本体;设置在该本体上面预定位置之晶圆摆片台;设置在该晶圆摆片台边缘部分外侧之靠近位置而用于提供测量膜厚所需基准数据之基准晶片;以及以设在该本体本预定位置之状态下收集因运作装置所输出之各种数据而加以分析之计算机,其特征为具备:设置在上述晶圆摆出片台之边缘部分而用于一面去除存在于由蚀刻过程移送过来之晶圆表面之蚀刻气体等杂质气体,一面防止基准晶片受到污染之污染防止装置。2.如申请专利范围第1项之用于半导体制程中的膜厚测量装置,其中该污染防止装置系由:一排出装置,其入口部系位于该晶圆摆片台之边缘部分上方朝向该摆片台方向而配置,出口部系朝向本体外侧而设置;以及一吸入装置,以设置在该排出装置之入口部内侧之状态下一面朝向依电流允许而定之方向旋转一面令存在于晶圆表面之杂质气体朝向排出装置出口部方向强制送风。3.如申请专利范围第2项之用于半导体制程中的膜厚测量装置,其中该排出装置由具有预定大小之排气管所构成,该吸入装置由设置在该排气管入口部边之吸入风车所构成。图示简单说明:第一图为表示以往之膜厚测量装置之概略斜视图。第二图为表示依照本发明之膜厚测量装置斜视图。第三图为第二图之晶圆摆片台附近之扩大斜视图。 |
