发明名称 记忆体的温度特性简易量测装置
摘要 一种为测量记忆体温度特性所制作的简易量测装置:系包含位址计数器、逻辑控制器以及资料比较器。其特点在于不需要大型测试机台,亦不需编辑测试程式,只要两颗同型的记忆体元件(分别为待测与已测基准)置于此装置上,放入恒温控制器内,操作此装置读出两颗记忆体的内部资料码比较之,观察不同温度下两者内部资料码比对之结果,即能描述此记忆体的特性与温度变化之关系。
申请公布号 TW322617 申请公布日期 1997.12.11
申请号 TW086108328 申请日期 1997.06.16
申请人 合泰半导体股份有限公司 发明人 林俊良;蔡崇合
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈惠蓉 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种记忆体的温度特性简易量测装置,系包含:一位址计数器(Address Counter);一逻辑控制器(Control Logic)其输出端与所述位址计数器的输入端相连接;以及一资料比较器(Comparison Logic)其输入端与所述逻辑控制器的输出端相连接。2.如申请专利范围第1项所述之记忆体的温度特性简易量测装置,其中所述记忆体是序列式罩幕唯读记忆体(serial mask ROM)。3.如申请专利范围第1项所述之记忆体的温度特性简易量测装置,其中所述位址计数器是利用主奴正反器构成,具有起始信号和系统时脉(CK)的输入而产生第二时脉(CK2)致能和计数终止(TOFF)的输出;所述位址计数器当CK(=外接信号产生器之频率)为负缘动作,测试开始前会清除所有计数器为0,待外接信号产生器起振后,位址会依序加一,前面M个CK系用来设定所述位址计数器的起始位址,此时起始位址被设定在0,系统将在第M+1个CK之后从位址0陆续将资料读出并做比较,当CK计数器数完记忆体资料之后,会将TOFF='0'用以将ENB='1'结束资料比较工作,此时系统时脉CK被被停止且所述位址计数器被清除,造成了待测元件不再动作。4.如申请专利范围第1项所述之记忆体的温度特性简易量测装置,其中所述逻辑控制器,在接受了所述位址计数器产生的ENN信号和TOFF信号同时并输入所述系统时脉(CK)和起始信号后,产生了一组的控制输出讯号包括系统时脉致能信号EN、系统时脉计数器及待测元件致能信号ENB、第二时脉CK2,所述第二时脉CK2为状态闩锁信号,正缘时用来闩锁受测元件之资料经所述资料比较器比较后之状态。5.如申请专利范围第1项所述之记忆体的温度特性简易量测装置,其中所述资料比较器,在接受了所述逻辑控制器产生的EN信号、ENB信号和CK2信号后,就开始依序比对基准与待测的记忆体资料;若是相同,即送出一个通过的信号给发光二极体显示出第一颜色,若是不同,即送出一个错误的信号给发光二极体显示出第二颜色。6.如申请专利范围第5项所述之记忆体的温度特性简易量测装置,其中所述第一颜色为绿色,所述第二颜色为红色。图示简单说明:第一图为本发明实施例温度测试装置的方块图。第二图(A)至第二图(C)为本发明实施例温度测试的装置各部分详细电路图。第三图为本发明实施例温度测试装置的流程图。
地址 新竹巿科学工业园区研新二路五号
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