发明名称 Verfahren zum Aufbringen einer Metall- oder Passivierenschicht mit hoher Haftung über einem isolierten Halbleitersubstrat
摘要
申请公布号 DE69219529(T2) 申请公布日期 1997.12.11
申请号 DE19926019529T 申请日期 1992.08.05
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 OKABAYASHI, HIDEKAZU, MINATO-KU, TOKYO., JP;ENDO, SHOICHI, KYOTO-SHI, KYOTO, JP
分类号 H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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