| 发明名称 | 多层非晶硅的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义闸极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线之间的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN1167336A | 申请公布日期 | 1997.12.10 |
| 申请号 | CN97100900.7 | 申请日期 | 1997.04.04 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 吴协霖 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种在多层非晶硅上形成金属硅化层的方法，其特征在于包含： 在一半导体底材上形成一氧化硅层； 在该氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层； 在该多晶硅层上形成一金属硅化层； 在该金属硅化层上定义复数闸极区；及蚀去未被定义的该金属硅化层、该多 晶硅层及氧化硅层部分。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路123号 | ||