Apparatus for treatment of a substrate

摘要

Die Vorrichtung zum Behandeln wenigstens eines Substrats (2A bis 2E) umfaßt einen mit dem Substrat thermisch gekoppelten Suszeptor (3) und eine Induktionsheizeinrichtung (4) zum Erhitzen des Suszeptors. Die Induktionsheizeinrichtung und der Suszeptor sind so zueinander angeordnet, daß die auf den Suszeptor wirkende elektromagnetische Kraft parallel zur Gravitationskraft gerichtet ist. Dies gewährleistet einen stabilen thermischen und mechanischen Aufbau. <IMAGE>