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发明名称 Verfahren zum Ebnen eines Isolationsgrabens für IC unter Verwendung eines Fillers aus Polysilizium
摘要
申请公布号 DE69406378(D1) 申请公布日期 1997.11.27
申请号 DE19946006378 申请日期 1994.07.20
申请人 DIGITAL EQUIPMENT CORP., MAYNARD, MASS., US 发明人 NASR, ANDRE ILYAS,, MARLBOROUGH, MASSACHUSETTS 01875, US;COOPERMAN, STEVEN SCOTT, SOUTHBOROUGH, MASSACHUSETTS 01772, US
分类号 H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/306;H01L21/310;H01L21/76 主分类号 H01L21/763
代理机构 代理人
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