| 发明名称 | 硫氰酸汞盐单晶的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于溶液降温法晶体生长技术领域。以1-3％的氯化钾(钠)水溶液为作溶剂，在起始温度30-40℃硫氰酸汞盐过饱合溶液进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速15-30rpm，降温速度0.1-0.3℃/天。生长周期1-2月可得到高光学质量的硫氰酸汞盐(AHg[SCN]4A＝Cd2+、Zn2+、Cu2+、Co2+、Ni2+)单晶，大小均在厘米级以上，其中硫氰酸汞镉晶体器件可实现半导体激光倍频毫瓦级蓝紫光输出。本发明方法操作简便安全无污染。 | ||
| 申请公布号 | CN1036535C | 申请公布日期 | 1997.11.26 |
| 申请号 | CN95110320.2 | 申请日期 | 1995.01.20 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 袁多荣;刘明果;许东;蒋民华;侯文博;方奇 |
| 分类号 | C30B7/08;C30B29/46 | 主分类号 | C30B7/08 |
| 代理机构 | 山东大学专利事务所 | 代理人 | 孙君 |
| 主权项 | 1.一种硫氰酸汞盐单晶的生长方法，包括采用硫氰酸汞盐(AHg[SCN]4，A＝Cd+2、Zn+2、Cu+2、Co+2或Ni+2)过饱和溶液进行旋转籽晶降温生长，其特征在于以重量百分比1-3％的氯化钾或氯化钠水溶液为溶剂。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市山大南路27号 | ||