| 摘要 |
Der erfindungsgemäße MOSFET mit Temperaturschutz weist ein zwischen Gateanschluß und Sourceanschluß des MOSFET geschaltetes Schaltelement auf, welches die Gate-Source-Spannung des MOSFET reduziert, wobei das Schaltelement über eine Diode angesteuert wird, die in Sperrichtung zwischen dem Drainanschluß des MOSFET und dem Steueranschluß des Schaltelementes geschaltet ist. <IMAGE>
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