| 发明名称 |
Process for manufacturing an MOS-Transistor |
| 摘要 |
Auf einem Substrat (21) aus einkristallinem Halbleitermaterial wird eine erste Schicht (23) aus SiO2 und eine zweite Schicht (24) aus polykristallinem Silizium erzeugt. Die erste Schicht (23) und die zweite Schicht (24) werden so strukturiert, daß eine Unterätzung (29) der ersten Schicht (23) unter die zweite Schicht (24) entsteht, in der die Oberfläche des Substrats (21) freigelegt wird. Mittels selektiver Epitaxie wird auf der freiliegenden Oberfläche des Substrats (21) ein einkristallines Gebiet (210) erzeugt, das als Kanalgebiet für einen MOS-Transistor verwendet wird. <IMAGE> |
| 申请公布号 |
EP0809279(A2) |
申请公布日期 |
1997.11.26 |
| 申请号 |
EP19970114782 |
申请日期 |
1992.08.19 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
KLOSE, HELMUT, DR.;MEUL, HANS-WILLI, DR.;MEISTER, THOMAS, DR.;STENGL, REINHARD, DR. |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/20;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/73;H01L29/732;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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