利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法

摘要

一种半导体存储器件的小型互连与电容器制造方法。该方法用两组隔离垫，形成自动对准的源极/位线接触与电容器的存储电极。第一隔离垫位于层间介电层的侧壁上，限定出源极/位线的接触窗。随后，第二隔离垫形成在位线的侧壁上，限定出电容器的存储电极。自动对准制作过程用了两组隔离垫，可使形成接触窗的接触蚀刻工艺的制作重叠限制更为宽松，也能形成长宽比很高的小型接触窗。该方法可在同一掩模步骤中限定出源极与漏极的接触，减少掩模步骤的数目。

主权项

1.一种在具有有源区与隔离的绝缘区的半导体衬底上制造互连与电容 器的方法，其包含如下步骤： a)提供一衬底，在该有源区内具有晶体管，该晶体管包含源极区、漏极 区和栅极； b)在该衬底表面上形成一层保护型的氧化层； c)在该保护型的氧化层上淀积一层层间介电层； d)在该层间的介电层上形成第一多晶硅层； e)利用掩模蚀刻该第一多晶硅层与层间介电层，在该源极与漏极区的上 方形成第一开窗，该第一开窗是由该第一多晶硅层与该层间介电层的第一侧 壁所限定的； f)在该第一侧壁上形成第一侧壁隔离垫； g)利用该第一多晶硅与第一侧壁隔离垫作为掩模，蚀刻该层间介电层， 形成结点接触窗与位线接触窗，该结点接触窗露出该源极区，该位线接触窗 则露出该漏极区； h)以结点闩柱填满该结点接触窗，以位线闩柱填满该位线接触窗； i)在该层间介电层、位线闩柱与结点闩柱上，形成一层多晶硅化合物层； j)在该多晶硅化合物层上形成一层第一氧化层； k)制定并蚀刻该第一氧化层、多晶硅化合物层、多晶硅层、第一侧壁隔 离垫与部分的结点闩柱，形成电容器开窗与位线，该电容器接触开窗是由该 位线、第一氧化层、多晶硅化合物层与多晶硅层所限定的； 1)在该第二侧壁上形成第二侧壁隔离垫；并且 m)形成一个电极层填满该第一开窗，并形成通往该结点闩柱的电接触， 从而形成通往该源极区的互连。