| 发明名称 |
Hemispherical grain formation on amorphous silicon |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2313477(A) |
申请公布日期 |
1997.11.26 |
| 申请号 |
GB19970010491 |
申请日期 |
1997.05.21 |
| 申请人 |
* NEC CORPORATION |
发明人 |
TOSHIYUKI * HIROTA;HIROHITO * WATANABE;FUMIKI * AISO;SHUJI * FUJIWARA;MASANOBU * ZENKE |
| 分类号 |
B41K1/04;B41K1/22;B41K1/50;H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/321 |
主分类号 |
B41K1/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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