| 发明名称 |
TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH REDUCED PUNCH-THROUGH SUSCEPTIBILITY AND LOW R DSon? |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0808513(A1) |
申请公布日期 |
1997.11.26 |
| 申请号 |
EP19960906189 |
申请日期 |
1996.02.07 |
| 申请人 |
SILICONIX INCORPORATED |
发明人 |
HSHIEH, FWU-IUAN;CHANG, MIKE, F. |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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