III-V Verbindungs-Halbleiter-Vorrichtung, Drucker- und Anzeigevorrichtung unter Verwendung derselben, und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
摘要
A III-V compound semiconductor device comprises the use of a compound semiconductor of groups III-V of the periodic table with a polycrystalline structure of an average grain size of 0.6 mu m or larger. <IMAGE>
申请公布号
DE69127952(D1)
申请公布日期
1997.11.20
申请号
DE1991627952
申请日期
1991.11.06
申请人
CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP
发明人
TOKUNAGA, HIROYUKI, C/O CANON KABUSHIKI KAISH, OHTA-KU, TOKYO, JP;KAWASAKI, HIDESHI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP