窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路

摘要

本发明给出了一簇新型MOSFET，其特征在于采用了不同于器件衬底材料的窄禁带异质材料做为器件的源区或源、漏区，使器件中的寄生BJT的发射结成为异质结，并且有β彻底消除了寄生BJT对BV_DS的影响；由本发明组成的CMOS IC也彻底消除了闭锁效应；本发明还给出了窄禁带异质材料的选取原则；本发明工艺制造容易，还可节省芯片面积，是一种性能好、实用性强的窄禁带源漏区MOSFET和IC。

主权项

1、一种MOHET及IC其特征在于它的源区采用了窄禁带异质材料，它包括：在衬底(1)的一个面上相隔设置有与其反型的高掺杂浓度异质源区(2)和高掺杂浓度同质漏区(3)，所述的(2)、(3)两区之间为沟道区(4)，在所述的部分源区和漏区表面及沟道区(4)表面上形成有栅绝缘介质膜(6)，从所述的源区(2)表面、沟道区(4)上方栅绝缘介质膜表面及漏区(3)表面形成有导电性能良好的电极并相应引出S、G、D极。