| 发明名称 | 具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：硅衬底(1)，在所述硅衬底(1)上的绝缘层(2)，在所述绝缘层(2)上的硅层(3)，所述硅层(3)由第一导电类型(N)的杂质掺杂，从所述硅层(3)的自由表面延伸到所述硅层(3)内的基区(4)，所述基区(4)由第二导电类型(P)的杂质掺杂，从所述基区(4)的自由表面延伸到所述基区(4)内的发射区(5)，所述发射区(5)由所述第一导电类型(N)的杂质重掺杂，及至少一个从所述硅层(3)的自由表面延伸到所述硅层(3)中的集电区(6)，该区距基区(4)一定横向距离，所述集电区(6)由所述第一导电类型(N)的杂质掺杂，设置于所述绝缘层(2)和所述基区(4)之间的所述硅层(3)中的浮动集电区(7)，该区距所述基区(4)一定距离，所述浮动集电区(7)的横向伸展部分大于发射区(5)的横向伸展部分，而小于基区(4)的横向伸展部分，所述浮动集电区(7)以重于所述硅层(3)的掺杂量掺杂所述第一导电类型(N)的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN1165585A | 申请公布日期 | 1997.11.19 |
| 申请号 | CN95195973.5 | 申请日期 | 1995.10.31 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | T·B·阿恩博格 |
| 分类号 | H01L27/07;H01L27/12 | 主分类号 | H01L27/07 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 董巍;陈景峻 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：硅衬底(1)，在所述硅衬底(1)上的绝缘层(2)，在所述绝缘层(2)上的硅层(3)，所述硅层(3)由第一导电类型(N)的杂质轻掺杂，从所述硅层(3)的自由表面延伸到所述硅层(3)内的基区(4)，所述基区(4)由第二导电类型(P)的杂质掺杂，从所述基区(4)的自由表面延伸到所述基区(4)内的发射区(5)，所述发射区(5)由所述第一导电类型(N)的杂质重掺杂，及至少一个从所述硅层(3)的自由表面延伸到所述硅层(3)中的集电区(6)，该区与基区(4)间有一横向距离，所述集电区(6)由所述第一导电类型(N)的杂质掺杂，其特征在于：所述绝缘层(2)和所述基区(4)之间的所述硅层(3)中设置浮动集电区(7)，该区距所述基区(4)一定距离，所述浮动集电区(7)的横向伸展部分大于发射区(5)的横向伸展部分，而小于基区(4)的横向伸展部分，所述浮动集电区(7)以重于所述硅层(3)的掺杂量掺杂所述第一导电类型(N)的杂质。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||