高密度存储器结构

摘要

一动态随机存取存储器(DRAM)集成电路，包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构，确定在该凹陷区域中、该场效三极管上方，借此提供较大的电容器表面。

主权项

1.一种存储器装置，该装置包括：一半导体基板，包含一凹陷区域，该凸陷区域具有由一底面延伸的侧边；一场效三极管，该场效三极管包括一邻接于该凹陷区域的源/汲极区域；一绝缘层，覆盖在该凹陷区域上；一下电容器板，覆盖在该绝缘层上，并位于一部分该场效三极管上方，该下电容器板连接至该源/汲源区域；一电容器介电体，覆介该下电容器板上；及一上电容器板，覆盖在该介电层上。