CIRCUIT DE PRODUCTION D'UNE HAUTE TENSION DE PROGRAMMATION

摘要

Pour constituer un signal de programmation de cellule mémoire en rampe sans perdre trop de tension dans un circuit de commande on relie la sortie d'un élévateur de tension à l'entrée de programmation par l'intermédiaire d'un transistor P. On montre que ce transistor de type P charge alors le plan mémoire à courant constant provoquant une croissance linéaire de la tension. De ce fait on évite de soumettre les cellules mémoire à programmer à des variations de tension trop brutales. On montre qu'en agissant ainsi on peut faire fonctionner des circuits intégrés même avec des très basses tensions d'alimentation.