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发明名称 High voltage silicon diode with optimum placement of silicon-germanium layers
摘要
申请公布号 SG44067(A1) 申请公布日期 1997.11.14
申请号 SG19960011874 申请日期 1996.12.20
申请人 GENERAL INSTRUMENT CORPORATION OF DELAWARE 发明人 ENG JACK;CHAN JOSEPH;LATERZA LAWRENCE;ZAKALUK GREGORY;WU JUN;AMATO JOHN;GARBIS DENNIS;EINTHOVEN WILLEM
分类号 H01L21/205;H01L29/165;H01L29/861;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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