| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de formation de connexions (67, 70, 75) et de vias (60) dans un circuit intégré comprenant les étapes suivantes: former des composants à grille isolée dans un substrat semi-conducteur (10); recouvrir le substrat d'une couche diélectrique (80) en un matériau photoréductible; graver des trous (45, 50, 55) et former des vias (60); photoréduire le diélectrique pour augmenter sa conductivité; recouvrir la structure résultante d'une couche d'interconnexion (64); graver la couche d'interconnexion pour définir des connexions en contact avec les vias; et oxyder le diélectrique pour réduire sa conductivité. |
