Lateraler Bipolartransistor mit niedrigem Leckstrom zum Substrat, entsprechende integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen integrierten Schaltung
摘要
申请公布号
DE69220033(T2)
申请公布日期
1997.11.13
申请号
DE19926020033T
申请日期
1992.03.27
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT
发明人
SILIGONI, MARCO, 20010 VITTUONE, IT;FERRARI, PAOLO, 21013 GALLARATE, IT
