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发明名称 Verfahren zur Plasmaätzung bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号 DE19636288(A1) 申请公布日期 1997.11.13
申请号 DE19961036288 申请日期 1996.09.06
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON, KYUNGKI, KR 发明人 YI, WHI-KUN, SUWON, KYUNGKI, KR;MOON, DAI-SIK, UIWANG, KYUNGKI, KR;KIM, SUNG-KYEONG, INCHON, KR;KIM, KYUNG-HOON, SUWON, KYUNGKI, KR
分类号 C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 C23F4/00
代理机构 代理人
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