首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren der in-situ-Dotierung von abgeschiedenem Silizium
摘要
申请公布号 DE69030864(T2) 申请公布日期 1997.11.13
申请号 DE1990630864T 申请日期 1990.11.02
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS, TEX., US 发明人 TANG, THOMAS E., DALLAS, TEXAS 75248, US
分类号 C23C16/24;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/334;H01L21/763;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/205;H01L21/82 主分类号 C23C16/24
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com