STORAGE CELL ARRANGEMENT IN WHICH VERTICAL MOS TRANSISTORS HAVE AT LEAST THREE DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES DEPENDING ON STORED DATA, AND METHOD OF PRODUCING SAID ARRANGEMENT

摘要

In einer Speicherzellenanordnung, die als Speicherzellen vertikale MOS-Transistoren umfaßt, wird die Information durch mindestens drei unterschiedliche Einsatzspannungswerte der Transistoren durch Multi-Level-Programmierung gespeichert. Ein Einsatzspannungswert wird durch die Dicke des Gatedielektrikums im Sinne eines Dickoxidtransistors und die anderen Einsatzspannungswerte durch unterschiedliche Kanaldotierungen realisiert. Die Anordnung ist mit einem Flächenbedarf pro Speicherzelle von 2 F2 (F: minimale Strukturgröße) herstellbar.