| 发明名称 | 化合物半导体的气相外延工艺 | ||
| 摘要 | 在衬底上形成高质量In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl<SUB>3</SUB>的第一气体和包括NH<SUB>3</SUB>的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N<SUB>2</SUB>为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N<SUB>2</SUB>气在缓冲层上生长外延In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层。用He代替N<SUB>2</SUB>作为载气，可获得质量更加均匀的In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN1164759A | 申请公布日期 | 1997.11.12 |
| 申请号 | CN97104545.3 | 申请日期 | 1997.03.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冈久拓司;津充;松岛政人;三浦祥纪;元木健作;关寿;纐缬明伯 |
| 分类号 | H01L21/205;C30B25/00 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体铟镓氮化物InxGa1-xN(这里，0＜x＜1)的气相外延工艺，其特征在于：三氯化铟(InCl3)用作铟源。 | ||
| 地址 | 日本兵库 | ||