发明名称 | 用于多单元晶体管的N边多边形单元布线 | ||
摘要 | 揭示一种MOS晶体管单元(100),供诸如在ESD保护电路、输出缓冲器等中用的多单元晶体管。此晶体管单元具有规则的N边多边形的几何形状,这里N≥8。在衬底中设有占用规则N边多边形边界面积的漏极区(125)。包围漏极区的是沟道区(165),它占用N边多边形的面积。包围沟道区的是在衬底中形成的源极,它占用具有N边多边形边界的环形面积。 | ||
申请公布号 | CN1164932A | 申请公布日期 | 1997.11.12 |
申请号 | CN95195456.3 | 申请日期 | 1995.12.08 |
申请人 | 工业技术研究院 | 发明人 | 柯明道;吴天祥;王国峰 |
分类号 | H01L29/76;H01L29/94;H01L31/113 | 主分类号 | H01L29/76 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种MOS单元,其特征在于包括:在衬底中形成并占用规则n边多边形的漏极区,这里n≥8,包围所述漏极区并占用具有n边多边形边界的环形沟道区,以及在所述衬底中形成的包围所述沟道区并占用具有n边多边形边界的环形的源极区。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |