半导体器件的T形栅加工方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的T形栅加工方法，它用普通工艺设备、采取斜角蒸发金属膜，缩小光刻胶窗口，形成胶与金属膜构成的双层掩膜、反应离子刻蚀在SiO₂上得到尺寸狭窄的凹槽，再进行套刻，经蒸发势垒金属剥离得到不同尺寸的T形栅，最小可达0.1μm左右。本发明还具有制造加工可控性和重复性好，成品率高，操作简易工艺难度小，成本低廉等优点，具有推广实用价值，特别适合制作毫米波HEMT、P-HEMT器件及其单片电路。

主权项

1.一种半导体器件的T形栅加工方法，其特征在于它包含的加 工步骤有： (1)在砷化镓(GaAs)(1)衬底上淀积一层二氧化硅(SiO₂)(2)膜， 二氧化硅(SiO₂)(2)膜上涂一层光刻胶(3)； (2)用一块1微米(1μm)至5微米(5μm)的掩膜版放在光刻胶 (3)上，曝光显影出近似矩形的光刻胶窗口，露出胶窗口底部的SiO₂(2)； (3)对光刻胶上表面及胶窗口内以入射角度α＜90°的斜角蒸发 铝膜(4)，缩小光刻胶窗口底部裸露SiO₂(2)的尺寸l至所需要的T形 栅尺寸，在二氧化硅(SiO₂)(2)膜上形成由光刻胶(3)和铝膜(4)构成的 双层掩膜； (4)反应离子刻蚀双层掩膜下裸露的二氧化硅(SiO₂)(2)，在二 氧化硅(SiO₂)(2)膜上得到尺寸缩小了的狭窄凹槽； (5)用磷酸(H₃PO₄)和乙醇去除二氧化硅(SiO₂)(2)上的铝膜(4) 和光刻胶膜(3)； (6)重新在砷化镓(GaAs)衬底片上涂光刻胶(3)，把另一块掩膜 版放在GaAs(1)片子上，使掩膜版上的1μm左右的T形栅的顶部图形 与二氧化硅(SiO₂)(2)膜上凹槽套刻，经曝光显影后在光刻胶(3)上得 到T形栅顶部图形； (7)对砷化镓(GaAs)(1)控槽后，在砷化镓(GaAs)(1)片上垂直 蒸发势垒金属膜(4)，剥离掉GaAs(1)上光刻胶(3)及光刻胶(3)上的势 垒金属(4)，得到所需的T形栅。