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<p>Die vorliegende Erfindung schlägt eine MOS-Transistorstruktur vor, welche den Strompfad in der Drainzone aus der Oberfläche in die Tiefe verlagert. In einer Ausführungsform nach dieser Erfindung wird eine Ablenkzone in dem Drainbereich unterhalb des Drain-Spacers angeordnet. In einer weiteren Ausführungsform wird statt einer Ablenkzone eine Ablenkelektrode im Drain-Spacer integriert.</p> |
