PIN LAYER SEQUENCE ON A PEROVSKITE

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Herstellung einer pin-Schichtenfolge, die eine AO<.>(ABO3)m-, eine B-oxidreiche Schicht sowie eine dazwischen befindliche ABO3-Schicht aufweist. Sie bezieht sich ferner auf eine verfahrensgemäss hergestellte Schichtenfolge. Verfahrensgemäss werden AO-Schichten innerhalb eines Perowskiten vom Typ ABO3 (z.B. SrtiO3, BaTiO3, PbTiO3 oder KNbO3) umverlagert. Dies wird erreicht, indem dieser bei hohen Temperaturen oxidierenden oder reduzierenden Bedingungen ausgesetzt wird. Durch die Umverlagerung entsteht die gewünschte Schichtenfolge an der Oberfläche des Perowskiten. Alternativ fliesst zunächst durch den Perowskiten ein konstanter Gleichstrom. Der Stromfluss durch den Perowskiten führt zu einer Elektromigration der Sauerstoffionen insbesondere entlang 2-dimensionaler Defekte im Perowskiten. Diese wandern von der Kathode in Richtung Anode, falls zwei Elektroden zur Stromflusserzeugung am Perowskiten angebracht worden sind. Die Elektromigration verursacht die Bildung von einem chemischen Sauerstoffkonzentrationsgradienten in der Nähe der Anode. Hierdurch wird eine zusätzliche Segregation von AO-Komplexen bewirkt. Unter der Anode (entsprechendes gilt bei Beschuss mit Elektronen) entsteht so eine pin-Schichtenfolge.