Vertikaler Bipolar-Leistungstransistor mit vergrabener Basis und ineinandergreifender Geometrie,申请号DE19936014331-传众专利搜索

发明名称	Vertikaler Bipolar-Leistungstransistor mit vergrabener Basis und ineinandergreifender Geometrie
摘要
申请公布号	DE69314331(D1)	申请公布日期	1997.11.06
申请号	DE19936014331	申请日期	1993.07.01
申请人	CO.RI.M.ME. CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICANEL MEZZOGIORNO, CATANIA, IT	发明人	PALARA, SERGIO, I-95026 ACITREZZA-CATANIA, IT
分类号	H01L21/331;H01L29/08;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/732	主分类号	H01L21/331
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