发明名称 Vorrichtung für Dampfphasenepitaxie von zusammengesetzten Halbleitern
摘要
申请公布号 DE69310422(T2) 申请公布日期 1997.11.06
申请号 DE19936010422T 申请日期 1993.02.01
申请人 PIONEER ELECTRONIC CORP., TOKIO/TOKYO, JP;AMANO, HIROSHI, NAGOYA, AICHI, JP;AKASAKI, ISAMU, NAGOYA, AICHI, JP 发明人 WATANABE, ATSUSHI, C/O PIONEER ELECTRONIC CORP., TSURUGASHIMA-SHI, SAITAMA-KEN, JP;AMANO, HIROSHI, NIJIGAOKA-HIGASHIDANCHI, MEITOU-KU, NAGOYA-SHI, AICHI-KEN, JP;HIRAMATSU, KAZUMASA, YOKKAICHI-SHI, MIE-KEN, JP;AKASAKI, ISAMU, NAGOYA-SHI, AICHI-KEN, JP
分类号 H01L21/205;C23C16/455;C30B25/14;(IPC1-7):C30B25/14;C23C16/44 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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