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发明名称 Dry etching method for metal film
摘要 The method involves using a reactant gas containing fluorine, chlorine and oxygen to etch a metal film on an interlayer insulating film except at connection hole part.
申请公布号 DE19706763(A1) 申请公布日期 1997.11.06
申请号 DE19971006763 申请日期 1997.02.20
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP;SHIBAURA ENGINEERING WORKS CO. LTD., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HATTORI, KEI, YOKOHAMA, KANAGAWA, JP;KOBAYASHI, AKIRA, NAGOYA, AICHI, JP;NONAKA, MIKIO, SAGAMIHARA, KANAGAWA, JP;MUTO, MAKOTO, AYASE, KANAGAWA, JP;KASAI, MASARU, ZAMA, KANAGAWA, JP;ONODA, TOSHIYASU, TOKIO/TOKYO, JP;YOSHIMORI, TOMOAKI, ZAMA, KANAGAWA, JP
分类号 H01L21/28;C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/768;(IPC1-7):C23F1/12;H01L21/321 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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