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发明名称 Herstellungsverfahren für einen Halbleiterlaser mit vergrabener Heterostruktur
摘要
申请公布号 DE69312415(T2) 申请公布日期 1997.11.06
申请号 DE19936012415T 申请日期 1993.09.22
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 HAYES, TODD ROBERT, PLAINFIELD, NEW JERSEY 07063, US;KARLICEK JR., ROBERT FRANK, BERKELEY HEIGHTS, NEW JERSEY 07922, US;LEE, BYUNG-TEAK, SCOTCH PLAINS, NEW JERSEY 07076, US;LOGAN, RALPH ANDRE, MORRISTOWN, NEW JERSEY 07960, US
分类号 H01S5/00;H01L33/00;H01S5/20;H01S5/227;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L33/00;H01S3/19;H01L21/306 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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