发明名称 | 等离子体处理方法和装置 | ||
摘要 | 本发明等离子体处理方法和装置,利用微波来发生等离子体,对晶片等基板进行等离子体腐蚀、成膜等处理。从空腔谐振器底部上设置的缝隙天线上放射出来的微波生成等离子体,利用它来处理试样,按一定的角度设置缝隙天线,该角度既不平行于也不垂直于空腔谐振器底部上流过的表面电流方向,利用从缝隙天线上放射出来的TE<SUB>om</SUB>方式和TM<SUB>om</SUB>(m、n为正整数)相混合的微波,生成圆环状等离子体,均匀地对直径大的试样进行处理。 | ||
申请公布号 | CN1164125A | 申请公布日期 | 1997.11.05 |
申请号 | CN97102480.4 | 申请日期 | 1997.02.20 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 渡边成一;古濑宗雄;田村仁;大坪彻 |
分类号 | H01L21/3065;H05H1/24 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种等离子体处理方法,其特征在于,把以空腔谐振器的中心轴附近为中心具有角度成分的微波电磁场,从上述空腔谐振器通过微波导入窗辐射到处理室内,在被处理基板对面的区域内产生圆环状等离子体,利用用该圆环状等离子体来对上述被处理基板进行等离子体处理。 | ||
地址 | 日本东京 |