发明名称 半导体集成电路的电极结构及其封装的形成方法
摘要 一种电极结构及其制造方法:(i)制备具有规则相距的外缘接合焊盘的阵列的扁平方形IC芯片,沿芯片四边中每一边接合焊盘的数量由函数2i(2i-1)等量确定,其中“i”是整数,其还具有铝制外连接焊盘;(ii)接着通过无电镀技术在芯片上形成镍和金涂覆层;(iii)通过热压接合技术,使外缘接合焊盘与焊盘布局转换基片电接合,该转换基片用于把外缘接合焊盘重新布置成焊料焊盘的栅格阵列;(iv)在转换基片与IC芯片之间填充黏合树脂。
申请公布号 CN1164128A 申请公布日期 1997.11.05
申请号 CN97103192.4 申请日期 1997.01.16
申请人 株式会社日立制作所 发明人 石野正和;佐藤了平;御田护
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L21/98 主分类号 H01L23/50
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;傅康
主权项 1 半导体集成电路器件,包括:集成电路芯片,在其外缘部位布置有多个外连接焊盘;布线基片,在与所述集成电路芯片的外连接焊盘对应的位置布置有多个外缘接合焊盘,并有与所述布线基片的外缘接合焊盘连接的区域阵列,外缘接合焊盘与所述集成电路芯片的外连接焊盘连接,所述布线基片可使所述外缘接合焊盘重新布置成为区域阵列,同时该区域阵列的间距是所述布线基片的外缘接合焊盘间距的整数倍。
地址 日本东京都