| 发明名称 | 半导体材料的制造方法及所用设备 | ||
| 摘要 | 诸如晶锭或晶片的半导体材料的制造方法及所用设备。在半导体材料表面加腐蚀气体，同时对半导体材料表面的预定部分进行激光或光量子辐射，使腐蚀气体的气体组分激活，半导体材料组分与激活的气体组分化学反应，使其挥发并除去。因此能卫生地、容易而高精度地制造半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1163951A | 申请公布日期 | 1997.11.05 |
| 申请号 | CN96123375.3 | 申请日期 | 1996.11.21 |
| 申请人 | 大同北产株式会社 | 发明人 | 吉野明;横山敬志;大森宣典;山本和马 |
| 分类号 | C30B35/00 | 主分类号 | C30B35/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.制造半导体材料的方法，包括以下步骤：给半导体材料表面供给腐蚀气体；同时，对半导体材料表面要处理除去的预定部分用激光或光量子辐射；激活预定部分表面上的腐蚀气体的气体组分；半导体材料的组分与激活的气体组分化学反应，使其挥发并除去。 | ||
| 地址 | 日本北海道 | ||