| 发明名称 |
PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO UTILIZANDO UNA MASCARA DURA. |
| 摘要 |
SE UTILIZA UNA CAPA DE CRISTAL COMO MASCARA DURA PARA DISEÑAR UNA CAPA SUBYACENTE DE POLISILICIO. EL POLISILICIO DISEÑADO PUEDE UTILIZARSE EN ESTRUCTURA DE PUERTAS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
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| 申请公布号 |
ES2106293(T3) |
申请公布日期 |
1997.11.01 |
| 申请号 |
ES19930309634T |
申请日期 |
1993.12.02 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
CUTHBERT, JOHN DAVID;FAVREAU, DAVID PAUL |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/312;H01L21/3213;(IPC1-7):G03F7/09 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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